반도체2 : 저항, 커패시턴스, MOSFET 정의

 

 

 

* 반도체, 온도가 올라가면 -> 저항 줄어듬

     WHY

         - 온도가 오를수록 원자들이 더 많은 에너지를 갖게 됨

         - 전자들이 자유롭게 움직일 수 있는 상태가 됨

         - 전자와 정공(hole; 전자가 빠져나간 빈자리)의 수가 증가

         - 전류가 더 쉽게 흐르고, 저항은 감소하게 됨

 

 

* 저항(Resistance)

    : 전류의 흐름을 방해하는 성질

      :옴의 법칙 ( R = V / I )

         : 저항, 저항(바뀜) / 비저항(물질 고유의 값은 바뀌지 않음 / 은,구리,철, 실리콘, 유리 등)으로 구분

 

 

* 커패시턴스(Capacitance)

   : 도체에 전하를 저장할 수 있는 능력, 패럿(F)단위 사용

      : C = Q(전하량) / V , C = 유전율(F/m) * A(면적) /d(전극 간의 거리)

        (유전율, 얼마나 전기를 잘 머금고 저장하는지 나타내는 물리량)

 

 

* MOSFET(Metal Oxide Sicon Field Effect Transistor)   

   (여기서 Transistor는 작은 전기 신호로 큰 전류를 제어하는 반도체 소자)

  : 전류를 흐르게 하거나 막는 아주 작은 전자 스위치 

    : 스위치 ON / OFF : 1 / 0

    : 반도체 칩 안에 더 좋은 성능이 생성되기 위해서는 MOSFET이 많이 들어가야 컴퓨터 처리 성능도 크게 향상

    : 현대 전자회로와 반도체 산업 전체를 가능하게 하는 가장 기본적인 제어 소자

 

    :  NMOS + PMOS = CMOS(현재 제일 많이 쓰임)

 

 

출처 : chatgpt

 

  : source(전하가 들어오는 쪽)와 drain(나가는 쪽) 연결하는 channel(문이 열렸을 때만 생기는 통로)이 있고,

   이 사이에 전류가 흐른다

   그리고 이 사이에 매우 얇은 산화막(SiO2)이 놓여있다

 

 : Vg = Vd일 때, MOSFET의 동작과 OUTPUT의 특성을 측정할 수 있다